Une révolution dans le stockage de données : la Chine dévoile une mémoire flash 10 000 fois plus rapide

Une équipe de chercheurs de l’université de Fudan, en Chine, vient de marquer un tournant dans l’histoire des technologies de stockage avec la publication d’une étude dans la prestigieuse revue Nature. Leur innovation, une mémoire flash non volatile baptisée PoX, atteint une vitesse d’écriture record de 400 picosecondes, soit 25 milliards de bits par seconde – une performance 10 000 fois supérieure aux technologies actuelles. Cette percée pourrait transformer des industries entières, de l’intelligence artificielle (IA) à l’électronique grand public, tout en offrant des perspectives prometteuses pour réduire l’impact environnemental des systèmes numériques…